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    霍尔效应测量系统 L79/HCS

    产品简介：霍尔效应测量系统 L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。

    产品型号：

    更新时间：2024-05-21

    厂商性质：生产厂家

    访问量：3503

    服务热线

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    产品介绍

    霍尔效应测量系统 L79/HCS 介绍：

    基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（zui高温度可达240°C）可保证所有应用领域环境条件下的测试。永磁体和电磁铁可提供高达数个特斯拉强度的固定或者可变磁场。

    基于测量软件可显示的视窗内容包括I-V和I-R数据图。

    系统可测试多种材料包括Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型或P型均可测量),金属膜,氧化物等,样品测试时便可完成系统功能演示。


    霍尔效应测量系统 L79/HCS 特点：

    •载流子浓度

    •电阻率

    •迁移率

    •电导率

    •α(水平电阻值/垂直电阻值)

    •霍尔常数

    •磁致电阻


    技术参数：

    输入电流:500nA到10mA (500nA步长)

    霍尔电压:0.5到4.5V

    极限分辨率:65pV

    样品形状:15x15,20x20,25x25mm,高度可达5mm

    磁场强度:可达 1T

    传感器:液氮温度到240°C

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